收藏本站
IRF520N
L
V DS
D.U.T.
200
TO P
I D
2 .3 A
4.0 A
- DD
R G
+
V
160
B O TTO M
5 .7A
10 V
t p
I AS
0.01 ?
120
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
80
40
V DD
0
V D D = 25 V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
Charge
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF520SPBF MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRF5210L MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
IRF5305L MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
IRF530A MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
IRF530NL MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
IRF530STRLPBF MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF540NL MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
IRF540STRR MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF520NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520NS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF520NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 9.5A, 200 MOHM, 16.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin (2+Tab) D2PAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.5A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
IRF520NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件